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Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Recovery Diode
IXTR 200N10P
V DSS = 100 V
I D25 = 120 A
R DS(on) ≤ 8 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM (IXTR)
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
120
75
A
A
ISOLATED TAB
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
400
60
100
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Avalanche voltage rated
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
4
10
300
-55 ... +175
175
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
l
l
V ISOL
50/60 Hz, RMS, 1 minute
2500
V~
l
Fast recovery intrinsic diode
DC-DC converters
Battery chargers
F C
Weight
Mounting Force
20..120/4.6..20
5
Nm/lb
g
Applications
l
l
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
100
V
l
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 500 μ A
3.0
5.0
V
Advantages
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 60 A
V GS = 15 V, I D = 400A
T J = 150 ° C
T J = 175 ° C
5.5
± 100
25
250
1000
8.0
nA
μ A
μ A
μ A
m ?
m ?
l
l
l
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99365E(03/06)
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